تأثیر اتلاف روی مدهای نقص در بلور فوتونی یک بعدی

در ادامه رفتار مد نقص نسبت به دما مطالعه شده است. نتایج نشان می دهد که با افزایش دما، ارتفاع مد نقص کاهش پیدا می کند. و موقعیت آن به سمت فرکانس های بالاتر جابجا می شود. اثر اتلاف در ساختار نامتقارن برجسته تر می باشد. در واقع اندازه ی پیک مد نقص در طیف تراگسیلی، نسبت به ساختار متقارن بسیار کمتر می باشد. در صورت افزایش دما میزان کاهش ارتفاع مد نقص در بلور فوتونی دارای نقص pb1-xsnxte بسیار بیشتر از دو مورد دیگر است. همچنین با افزایش دما در بلور فوتونی دارای نقص pb1-xsnxte و pbse موقعیت مد نقص جابجا می شود در حالی که در بلور فوتونی دارای نقص hg1-xcdxte اثری از این جابجایی نیست. سرانجام نمودار تغییرات گذردهی الکتریکی نسبت به فرکانس و دما برای هر سه ماده رسم شده است. که تنها قسمت حقیقی گذردهی الکتریکی pb1-xsnxte با تغییر فرکانس، ثابت می ماند. همچنین در همه موارد با افزایش دما، دامنه ی بخش حقیقی گذردهی الکتریکی ، کاهش و دامنه ی بخش موهومی افزایش می-یابد